四氟化1碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳与氟1化氢的反应在填有氢1氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应
高纯四氟化碳厂家
四氟化1碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳与氟1化氢的反应在填有氢1氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。
四氯化4碳与氟化1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45:1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。
四氟化碳（CF4）早就是通过氟碳直接反应法制得的，该方法经过不断的发展与完善, 如今已成为工业上制备全的主要的方法之一。四氟化碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，随后通过硅胶干燥塔得到产品。在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，后经精馏而得成品。
电子四氟化碳是目前半导体行业主要的等离子体蚀刻气体之一，在硅、二氧化硅、金属硅化物以及某些金属的蚀刻，以及低温制冷、电子器件表面清洗等方面被广泛应用。而电子特气系统为它保驾护航，保证四氟化碳（CF4）的纯度和安全稳定使用。高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有危险，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。四氟化碳作为制冷剂是一种无色不可燃气体，能够保障液体运输的安全性。在临床医学中，四氟化碳还是一种高浓度的醉剂。由以上看出，四氟化碳的应用范围广泛，在下游电子产业等带动下，行业发展。
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