3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、B
检修用IGBT测试仪价格
3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
测试项目 测量范围 测试条件与精度
*
3.5 VGE(th)
栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
解析度：0.01V
集电极电流Ic：
10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；
200～1000mA±1%±2mA；IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。
表格12动态参数测试部分组成
序号 组成部分 单位 数量
1 可调充电电源 套 1
2 直流电容器 个 8
3 动态测试负载电感 套 1
4 安全工作区测试负载电感 套 1
5 补充充电回路限流电感L 个 1
6 短路保护放电回路 套 1
7 正常放电回路 套 1
8 高压大功率开关 个 5
9 尖峰抑制电容 个 1
10 主回路正向导通晶闸管 个 2
11 动态测试续流二极管 个 2
12 安全工作区测试续流二极管 个 3
13 被测器件旁路开关 个 1
14 工控机及操作系统 套 1
15 数据采集与处理单元 套 1
16 机柜及其面板 套 1
17 压接夹具及其配套系统 套 1
18 加热装置 套 1
19 其他辅件 套 1
8）高压大功率开关
电流能力 200A
隔离耐压 10kV
响应时间 150ms
脉冲电流 20kA（不小于10ms）
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 200A
工作湿度 <70%
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