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肖特基二极管正负诚信企业推荐「强元芯电子」

编辑:DD 采用这种结构的SBD,击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度,使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍,达到150V和200V。在正向偏置时,高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V,而肖特基势垒的结电压仅约0.3V,故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。 快恢复二极管是指反向恢复时
肖特基二极管正负









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采用这种结构的SBD,击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度,使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍,达到150V和200V。在正向偏置时,高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V,而肖特基势垒的结电压仅约0.3V,故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。




快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下.因此相比较之下,ASEMI肖特基二极管与快恢复二极管各有各的优势,两者互相弥补,成就了ASEMI整流12年的佳话!






快恢复二极管MURF1060CT,ASEMI原装进口整流实力,让您不再为产量差、上机炸毁的问题烦恼。现此时很多采购商因为贪图便宜而采购些不良产品导致上机问题烦恼很多,使机子停止运行耽误了生产产品的时间;俗话说时间就是金钱,因为贪图便宜反而使实际金额利润损失了不少,这样的话是得不偿失。如果一开始采购质量好的快恢复二极管,便不会产生那么多的问题和烦恼了,即使因为价格差的利润没赚更多,但反而使工程运行更保障,客户更加信赖,自己也不会徒添许多烦恼而耽误了其他的事情,所以选择一款好的元器件是十分重要的!




MURF1060CT 强元芯ASEMI核芯动力 快恢复实力彰显!

采用了台湾健鼎的一体化测试设备,减少人工操作环节,同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准,将漏电流有5uA加严到2uA以内;正向压降Vf由1.0V加严到0.98V即单颗管芯VF控制在0.49V以内。其采用俄罗斯进口晶圆Mikron米克朗芯片,具有高抗冲击能力,电性能稳定,可信赖度佳。




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