MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI
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MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI,正向电流:30A,反向耐压:200V,正向压降:0.92V,反向电流:0.5uA,反向恢复时间:<5ns,封装:TO-247/3P。
强元芯从技术和生产原料两方面入收,严把质量关,通过改良持术,提高用户产品体验,更通过
肖特基二极管选型
MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI
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MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI,正向电流:30A,反向耐压:200V,正向压降:0.92V,反向电流:0.5uA,反向恢复时间:<5ns,封装:TO-247/3P。




强元芯从技术和生产原料两方面入收,严把质量关,通过改良持术,提高用户产品体验,更通过保证入库物料产量,无一不是为提高产量努力。自2008年起,ASEMI整流桥产品创造了无不良率的,受到客户一致认同。
MBR60200PT肖特基二极管ASEMI
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ASEMI肖特基二极管MBR60200PT属于大功率产品要用大电流的肖特基二极管来起整流的作用,这也是现在越来越多的工程师设计选择思路具有正向整流输出大电流.
MBR60200PT肖特基二极管 ASEMI导读:
型号:MBR60200PT :ASEMI
封装:TO-247/3P 特性:肖特基二极管
★电性参数:60A,200V ★芯片材质:SI
★正向电流(Io):60A ★芯片个数:2
★正向电压(VF):0.89V ★芯片尺寸:150MIL
★浪涌电流Ifsm:200A ★是否进口:否
★漏电流(Ir):10UA ★工作温度:-50~125
★恢复时间(Trr):<5nS ★引线数量:3





肖特基二极管选型ASEMI肖特基二极管MBR40100FCT
ASEMI肖特基二极管期初目的是为提高电源效率,从而研制出了普通肖特基二极管;现如今,为充分发挥挖掘SKY的低VF效能而开发出的低压降肖特基二极管。那我们今天在这里也认识到了低压降肖特基二极管,可谓升级版的低压降肖特基二极管,特性、超低VF、高温漏电小。
ASEMI肖特基二极管MBR40100FCT广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用。台湾原装 ASEMI肖特基二极管MBR40100FCT采用俄罗斯Mikron芯片,28条台湾健鼎测试线。电性参数为40A100V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达130MIL.

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强元芯电子(广东)有限公司
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