在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。
这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用
绿碳化硅微粉
在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。
这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。碳化硅可用于单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。
节能方面的应用：利用良好的导热和热稳定性，作热交换器，燃耗减少20%，节约燃料35%，使生产率提高20-30%。特别是矿山选厂用排放输送管道的内放，其程度是普通材料的6—7倍。碳化硅的工业制法是用石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。
碳化硅是一种新型的强复合脱氧剂，可以在炼钢过程中有效的将钢水中的氧气处理较终起到脱氧的作用，使脱氧时间缩短，节约能源，提髙炼钢效率，提髙钢的质量，降低原辅材料消耗，减少环境污染，改善劳动条件，碳化硅是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧和原工艺相比各项理化性能更加稳定脱氧效果好。
碳化硅的使用成本较低，加入碳化硅颗粒可以防止析出碳化物，增加铁素体量，减少白口，使铸铁组织致密，显著提高加工性能并使切削面光洁； 特别是熔炼中,增加石墨核心,提高球铁的石墨球数,改善灰铁的石墨形态等等都非常有益； 经过大量的实验总结得出碳化硅在灰铸铁生产中已经成为重要的材料。
一般碳化硅作为孕育剂的时候，碳化硅以碎粒状随着铁水加入到烧包中，可以有效的起到薄壁铸铁件的孕育处理作用。铸铁使用碳化硅加入量很少，对铸铁的化学成分影响甚小，对其显微组织的影响却很大，因而能改善灰铸铁的力学性能，对其物理性能也有明显的影响。
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工。
利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性，碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料，如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、炉用弧型板、热电偶保护管等。
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