压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄（或渗透）风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。净化工程在设计时，无论是新建还是重新改造的净化车间，都一定依照相关标准、规范进行。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中
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压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄（或渗透）风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。净化工程在设计时，无论是新建还是重新改造的净化车间，都一定依照相关标准、规范进行。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。
1级：尘埃易使芯片失效或者稳定性下降，当金属尘埃落于集成电路上时，就可能造成短路。当空气中的酸性离子落在电路上时，可能将电路腐蚀，因此净化空调系统对微电子工业而言至关重要。此外，液晶、光纤的生产也需要1级洁净度的要求。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。
设计净化系统组织的原则是相邻二级过滤器的效率不能太接近，也不能相差太大。一般采用初效、中效、亚(或)三级过滤器。也可分四级，增加一级过滤器。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。现在我们的经济科技在发展，同时带动了社会各行各业在告诉发展中。以净化工程这个行业为例，在目前呈现一片喜人的发展态势。
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