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半导体陶瓷电容器

（1）对BaTiO3来讲，晶界层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面，涂覆恰当的金属氧化物，在恰当的温度下热处理，氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散，在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一薄的固溶体绝缘层具有很高的电阻率，尽管陶瓷粒子内部还是以半导体为主，但是整个陶瓷体在显介电常数上表现出2×104~8×104的高质量绝缘介质。

（2）表面陶瓷电容，电容器的微型化，即电容器以小的体型得到尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对分离电容器组件来讲，微型化的基本途径有两条：①尽量提高介质材料的介电常数；②使介质层厚度尽量减小。对于陶瓷材料，铁电陶瓷具有非常高的介电常数，但是，要想用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时，陶瓷介质很难实现。是由于铁电陶瓷强度低，在薄板上易碎裂，难以实际生产操作；第二，陶瓷介质很薄，易产生各种组织缺陷，生产工艺困难。










多种陶瓷电容器的区别

旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。

在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。可将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容”。






什么是高压陶瓷电容器，有什么样的优点呢？

高压陶瓷电容器

高压陶瓷电容器是以介电陶瓷为材料的环氧树脂灌封的电容器。随着时代有进步与科技发展，高压陶瓷电容器主要是指交流工作电压10KV以上的电容器，或者直流工作电压达到40KV以上的陶瓷电容器。

定义

高压陶瓷电容器，顾名思义，是以介电陶瓷为材料的环氧树脂灌封的电容器。随着时代有进步与科技发展，高压陶瓷电容器主要是指交流工作电压10KV以上的电容器，或者直流工作电压达到40KV以上的陶瓷电容器。(以往通常把250V或400V的Y电容也划分为高压陶瓷电容器。)

种类

高压陶瓷电容器根据他的用途与不同外观，可分为引线型，螺栓型，片脚型，交流型，直流型，高功率型等 。

优点

1.容量损耗随温度频率具高稳定性;

2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性;

3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。







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