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ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不
肖特基二极管封装
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ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。
常见ASEMI贴片封装的肖特基型号：
BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23,0.3A
MBR0520L、MBR0540:SOD-123,0.5A
SS12、SS14:DO-214AC（SMA），1A
SL12、SL14:DO-214AC（SMA），1A
SK22:SK24:DO-214AA（SMB），2A
SK32:SK34:DO-214AB（SMC），3A
MBRD320、MBRD360:TO-252,3A
MBRD620CT、MBRD660CT:TO-252,6A
MBRB10100CT:TO-263（D2PAK），10A
MBRB4045CT:TO-263（D2PAK），40A
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