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温度补偿型
温度变化所造成的静电容量变化率较小，主要用于滤波、高频电路的耦合。当线圈与电容器被结合使用时，线圈的电感会随着温度的上升而增加，这时则可以利用负温度系数电容器来进行修正。
高诱电型
是一种采用了介电常数较高材料的电容器，具有静电容量较高的特点。主要作为电源电路的去耦电容器或平滑电路使用。与温度
贴片陶瓷电容器
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视频作者：四川华瓷科技有限公司
温度补偿型
温度变化所造成的静电容量变化率较小，主要用于滤波、高频电路的耦合。当线圈与电容器被结合使用时，线圈的电感会随着温度的上升而增加，这时则可以利用负温度系数电容器来进行修正。
高诱电型
是一种采用了介电常数较高材料的电容器，具有静电容量较高的特点。主要作为电源电路的去耦电容器或平滑电路使用。与温度补偿型电容器相比，由于温度能够造成的静电容量变化较大，因此当用于滤波器等信号电路中时需要十分注意。
你应该使用什么陶瓷电容器降额？
有一个共同的经验法则，陶瓷电容器的电压应降低至少25%，作为标准，但在其将暴露于电压纹波效应的环境中，这应增加到至少50%。部件的额定电压应至少为正常运行时可施加在部件上的电压的两倍。
更的计算可以通过观察击穿电压和额定电压之间的关系来实现。通常，制造商通过根据经验和判断对击穿电压加上裕度来计算额定电压。击穿电压由陶瓷电容器结构中所用材料的特性和材料中存在的缺陷决定。制造过程的质量越高，击穿电压也就越高——受所用材料的限制。有趣的是，电容值越高，任何制造缺陷对击穿电压的影响就越小。
陶瓷基绝缘材料的性能主导了计算；研究表明，金属元素对结果影响不大。击穿电压通常由电介质内部的极化过程决定，而不是由任何穿决定。制造商通过确定元件工作特性内的区域来确定击穿电压。电压相关的质量保持在设备要求的范围内，其预测可靠性在规定范围内。然后，设计师应用的任何降额都是制造商降额系数的附加值，用于根据击穿电压计算额定电压。
要记住的一件事是，乍一看，过度降低组件的额定值似乎是的策略，但这将导致选择物理上更大或更昂贵的组件。所需的额外电路板空间可能不可行，或可能对电路板的布局和布线造成其他挑战。在可能存在机械振动的环境中，较大的部件也会增加部件内部的风险。与所有的设计决策一样，一些后果需要仔细考虑。
陶瓷贴片电容有哪些优势
1、利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大;
2、极高的度，在进行自动装配时有高度的准确性;
4、因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性;
5、低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计;
6、残留诱导系数小，确保上佳的频率特性;
7、因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源;
8、由于ESR低，频率特性良好，故较适合于高频，高密度类型的电源。
陶瓷贴片电容选型
选型要素
参数：电容值、容差、耐压、使用温度、尺寸、材质、直流偏置效应。
介质的性能
C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容
X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用
Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路
Y5V电容器温度特性差，但容量大，可取代低容铝电解电容
MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格，不同的规格有不同的特点和用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
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