编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相
电源三相整流桥
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整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相整流方桥
电性参数：50A1000V
芯片个数：5
浪涌电流Ifsm：500A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V
MT5016的包装方式：100/盒，500/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
品名：插件三相整流桥
型号： D45XT100
产品封装 ：DXT-5
特性： 大电流，扁桥
正向电流：45A
反向峰值电压：1000V
芯片材质： GPP 硅
工作温度： -55~+150℃
芯片数量： 4个
散热特性好，可承受较强浪涌冲击, 具有很强短时耐热冲击能力。
该款整流桥应用于双轴伺服驱动器，高抗浪涌能力，安全性更高
三相整流桥扁桥D50XT80，5只引脚
ASEMI原装，生产有效率，订单交期快，解决货期长，生产低效率问题
电性参数： 正向电流值：50A ； 反向耐压值 ：800V
4只GPP 硅芯片，芯片尺寸大至200mil，高抗浪涌，散热性好，防热击穿。
ASEMI原装，本系列其他产品 D50XT100、D50XT120、D50XT160。采用波峰GPP大芯片，参数离散性一致，质量高稳定性和可靠性。
ASEMI原装三相整流 D50XT100
DXT-5 , 5只引脚,采用无氧铜材料，镀亮锡
参数： 正向电流值：50A ；
反向耐压值 ：1000V
特点优势：
4只GPP 硅芯片，芯片尺寸大至200mil；
高抗浪涌，散热性好，防热击穿；
大电流，可应用工业电源控制柜，数控车床，通讯等大型机电设备
ASEMI原装，订单交期快，解决货期长，生产低效率问题
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