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鄢陵肖特基二极管选型服务至上「强元芯电子」

MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI 编辑:L MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI采用的是俄罗斯进口Mikron芯片,电性参数为30A100V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达122MIL,工作温度为-40~170℃。有3条引脚,两边脚输入,中间脚输出。 强元芯电子肖特基二极管MBR30100FCT台产原装“
肖特基二极管选型









MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI

编辑:L

MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI采用的是俄罗斯进口Mikron芯片,电性参数为30A100V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达122MIL,工作温度为-40~170℃。有3条引脚,两边脚输入,中间脚输出。










强元芯电子肖特基二极管MBR30100FCT台产原装“ASEMI”,广泛用于开关电源做整流二极管,逆变电路做续流、反压吸收二极管,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。其采用俄罗斯进口晶圆-Mikron芯片,具有高抗冲击能力,电性能稳定,可信赖度佳,产品都是已通过、均符合欧盟ROHS认证产品,UL认证。






MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI

编辑:L


MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI,正向电流:30A,反向耐压:200V,正向压降:0.92V,反向电流:0.5uA,反向恢复时间:<5ns,封装:TO-247/3P。










强元芯从技术和生产原料两方面入收,严把质量关,通过改良持术,提高用户产品体验,更通过保证入库物料产量,无一不是为提高产量努力。自2008年起,ASEMI整流桥产品创造了无不良率的,受到客户一致认同。






SB30100LCT低压降肖特基二极管,台湾ASEMI


SB30100LCT低压降肖特基二极管,台湾ASEMI,它的封装是TO-220,电性参数:30A,100V,芯片材质:SI,正向电流:30A,芯片个数:2,正向电:0.66V,芯片尺寸94MIL,浪涌电流Ifsm:200A;漏电流小于等于10UA,工作温度问-40~170℃,恢复时间(Trr):<5nS,引线数量:3。ASEMISB30100LCT在电子市场研发趋势凸显,主要原因是芯片采用俄罗斯进口Mikron芯片,保障了产品的!












ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT





ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,具有反向恢复时间短,速度快,有效防止浪涌,减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为:TO-220;电性参数正向电流为30A,反向耐压为100V;正向峰值浪涌电流为200A,反向恢复时间:<5ns,芯片尺寸:122MIL.





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