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ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不
肖特基二极管作用
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ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
根据万用表示数分析，肖特基二极管测试结论如下（其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码）:
一，根据①-②、③-②间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
二，因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均手册中给定的允许值VFM(0.55V)。
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采用了台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准，将漏电流有5uA加严到2uA以内；正向压降Vf由1.0V加严到0.98V即单颗管芯VF控制在0.49V以内。其采用俄罗斯进口晶圆Mikron米克朗芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可信赖度佳。
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