其中薄膜中N元素的相对含量由纯水亚相的1．06%增加至PAA-Azo亚相的3．64%，归因于CD-CHOL/PAA-Azo复合膜中PAA-Azo分子的N元素的增量。此外，将两种薄膜的C1s特征峰进行分峰考察不同化学价态的碳元素的相对含量，如图5(b)和5(c)所示。位于284．8eV处的峰归属于C—C，CC以及C—H键，287．2eV处的峰归属于CO键。可以清楚看出，CD-CHOL
液压滚圆机
其中薄膜中N元素的相对含量由纯水亚相的1．06%增加至PAA-Azo亚相的3．64%，归因于CD-CHOL/PAA-Azo复合膜中PAA-Azo分子的N元素的增量。此外，将两种薄膜的C1s特征峰进行分峰考察不同化学价态的碳元素的相对含量，如图5(b)和5(c)所示。位于284．8eV处的峰归属于C—C，CC以及C—H键，287．2eV处的峰归属于CO键。可以清楚看出，CD-CHOL/PAA-Azo复合膜的C—C与CO基团的相对含量均相比CD-CHOL水相膜中有所增加，达到76．2%以及1．5%
要通过控制主要原料硅砂的粒度范围来研究高应变点玻璃的熔制特性。通过金相显微镜和场发射扫描电子显微镜(SEM)分别测试样品中的气泡大小、成分的均匀性。通过对不同粒度硅砂配合料进行熔制过程的高温观察分析(HTO),探讨硅砂的不同粒度对高应变点玻璃熔制行为和澄清时间的影响。研究结果表明,当硅砂粒度控制在100~150目时,样品的气泡含量少,成分较为均匀,熔制、澄清时间较短。
综合来说，100～150目的样品熔制效果好于未筛分的及筛分的其他粒度。图1不同粒度硅砂配合料制备的高应变点玻璃显微图像从图3中可以明显的看出未筛分硅砂熔制的玻璃样品的均匀性差，采用筛分过的3个粒度硅砂熔制的玻璃样品均匀性均好于未筛分的;而100～150目的样品熔制的玻璃样品均匀性又优于60～100目、150～230目的样品。此现象产生的原因为:玻璃配合料中硅砂的粒度越小，容易在配合料高应变点玻璃熔制、澄清效果的影响143硅砂粒度为150～230目时，由于超细粉的粒径非常小，表面积就越大，与其它反应物的接触的面积就越大
则熔化时的反应速度越快，由此所产生大量微小气泡，增加气泡上升的阻力，不易排除，延长了玻璃澄清时间;而在相同的温度制度下，反之，硅砂粒度越粗，其扩散溶解速度越慢，反应活化能越小，玻璃液的黏度越大，玻璃熔制难度越大，使得当小颗粒的硅砂配合料处于澄清阶段的同时，大颗粒的硅砂配合料还处于玻璃形成阶段，从而延长了玻璃的熔制、澄清时间［7-8］。
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