华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
检修用IGBT测试仪价格
华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
深圳市华科智源科技有限公司，是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及SMT首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。1电压源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS。
1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；
2. 图形化操作界面；主要参数 测试范围 精度要求 测试条件Vce集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V。中/英文操作系统
3.输出EXCEL、wor测试报告
*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度
*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；
*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；
2、设备尺寸
2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm
2.2 设备总体宽度 ≤600mm
2.3 设备总体高度 ≤500mm
8）高压大功率开关
电流能力 200A
隔离耐压 10kV
响应时间 150ms
脉冲电流 20kA（不小于10ms）
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 200A
工作湿度 <70%
2.2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0.1 uC
50～200uC±5%±1 uC
200～1000uC±5%±2 uC
3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns
20～100±5%±1ns
100～500±5%±2ns
500～2000±3%±5ns
4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ
0.5～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～200mJ±5%±1mJ
200～1000mJ±5%±2mJ
测试条件：
1、正向电流IFM：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、-di/dt测量范围：200～10000A/us
3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V
4、dv/dt测量范围：100～10000V/us
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