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常压烧结法(PLS)在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4
常压烧结法（ PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。气
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常压烧结法(PLS)在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4
常压烧结法（ PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似。
氮化硅的制法有以下几种： 在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应； 在1500℃时将纯硅与氨作用；
在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
氮化硅陶瓷具有高强度、耐高温的特点，在陶瓷材料中其综合力学，耐热震性能、性能、损性能、耐蚀性能好，是热机部件用陶瓷的候选材料。在机械工业，氮化硅陶瓷用作轴承滚珠、滚柱、滚球座圈、工模具、新型具、泵柱塞、心轴 密封材料等。
氮化硅陶瓷产品的生产制造方式有二种，即反映烧结法和热压烧结法。反映烧结法是将硅粉或硅粉与氮化硅粉的混和料按一般陶瓷产品生产制造方式成形。随后在氮化炉内，在1150~1200℃预氮化，得到一定抗压强度后，可在数控车床上开展机械加工制造，然后在1350~1450℃进一步氮化18~36h，直至所有变成氮化硅截止。这里的氮化硅氮硅原子数目比并不是严格的4:3，而是根据工艺条件的不同而在一定范围内波动，不同的原子比例对应的薄膜的物理性质有所不同。那样制得的商品规格，容积平稳。热压烧结规律是将氮化硅粉与小量添加物，在19.5MPa之上的工作压力和1600~1700℃标准舒张压热成形烧结。一般热压烧结法制得的商品比反映烧结制得的商品相对密度gao，特性好。
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