化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果更好。
是以硫酸为载体,在适宜的温度范
次磷
化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果更好。
是以硫酸为载体,在适宜的温度范围内进行化学抛光,通常情况下、(或),抛光过程即完成化学抛光方法,将欲抛光的不锈钢在此溶液中浸泡,当溶液呈现绿色时、代替相应的酸,先将这些盐类溶于溶有淀粉的水溶液中,然后再将此欲抛光的材料浸入硫酸溶液中,使其表面附着一层溶有上述盐类的淀粉层,用氯化钠化学抛光，一般使用或磷酸等氧化剂溶液，在一定的条件下，使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶人溶液，表面微凸起处氧化较快而较多,而微凹处则被氧化慢而少。同样凸起处的氧化层又比四处更多、更快地扩散，溶解于酸型溶液中,因此使加工表面逐渐被整平，达到改善工件表面粗糙度或使表面平滑化和光泽化的目的。化学抛光可以大面或多件抛光薄壁、低刚度工件，可以抛光内表面和形状复杂的工件，不需要外加电源、设备，操作简单、成本低。其缺点是化学抛光效果比电解抛光效果差，抛光过程中会产生氮氧化合物等环境污染物，而且抛光液用后处理较麻烦
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
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