光刻胶介绍
光刻胶介绍
光刻胶(又称光致抗蚀剂)，是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、x射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶
NR9 1500P光刻胶报价
光刻胶介绍
光刻胶介绍
光刻胶(又称光致抗蚀剂)，是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、x射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。因此光刻胶微细加工技术中的关键性化工材料，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。生产光刻胶的原料包括光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体和其他助剂等。
光刻胶分类
市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。
按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。而细化到半导体用光刻胶市场，国内企业份额不足30%，与国际水平存在较大差距。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。
Futurrex
提供化学技术的多样化解决方案
成立于1985年,总部设在美国新泽西州，富兰克林市,高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司
公司业务覆盖范围包括北美，亚太以及欧洲
基于多样化的技术
应用领域：微电子、光电子、LED、太阳能光伏、微机电系统、生物芯片、微流体、平面印刷
解决方案：的光刻胶、掺杂涂层、平坦化涂层、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻挡层(Barrior Layere)、湿法制程
客户：从财富100强到以风险投资为背景的设备研发及制造公司
使命
目标
提供特殊化学品和全新工艺来增加客户的产能
策略
提供的产品来优化生产制程，以提高设备能效
领的技术提升生产过程中的整体性价比
工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能
增加客户的产能和生产的效率
工艺减化
非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定
在生产过程中，不含有害溶剂
支持所有客户的需要，与客户共创成功
（作者： 来源：）
