3D 晶圆封装测试
徕森正在加速相关技术的部署，期望能在明年开始在芯片封装领域展开竞争。3D 晶圆封装技术名为「eXtended-Cube」，简称为「X-Cube」，该是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，允许多层超薄叠加，利用直通矽晶穿孔(TSV) 技术来打造逻辑半导体，有助于使速度和能源效益大增，以满足像是5G、人工智慧、运算、穿戴装置等技术的需求。5D/3D堆叠
电子封装测试
3D 晶圆封装测试
徕森正在加速相关技术的部署，期望能在明年开始在芯片封装领域展开竞争。3D 晶圆封装技术名为「eXtended-Cube」，简称为「X-Cube」，该是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，允许多层超薄叠加，利用直通矽晶穿孔(TSV) 技术来打造逻辑半导体，有助于使速度和能源效益大增，以满足像是5G、人工智慧、运算、穿戴装置等技术的需求。5D/3D堆叠IC、嵌入式芯片，Fan-Out：分别为21%、18%和16%。
BEoL区的S1 应力分量(MPa) - 独立配置
一旦组装到主板上后，应力区域特性接近在标准倒装片配置上观察到的应力区域。在外层焊球区域观察到应力值，因为外层焊球到中性点(DNP)(即封装中心)的距离远。焊球下面的应力分布受焊球至封装中心的相对位置的影响。因此，压缩力和拉伸力区域方向随焊球位置不同而变化。在外层焊球区域观察到应力值，因为外层焊球到中性点(DNP)(即封装中心)的距离远。
与独立封装相比，已焊接的焊球使焊盘受到更大的应力。不过，无论封装尺寸多大，裸片和聚会物边缘受到的应力都会保持不变。
人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。WLCSP生产周期和成本大幅下降，芯片所需引脚数减少，提高了集成度；引脚产生的电磁干扰几乎被消除，采用此封装的内存可以支持到800MHz的频率，容量可达1GB，所以它号称是未来封装的主流。它的不足之处是芯片得不到足够的保护。半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和封装三类。封装技术的运用：封装不仅仅是制造过程的后一步，它正在成为产品的催化剂。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代。
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