台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC
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台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC全部采用俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置122Mil大规格整流芯片；确保平均输出30A的电流；反向耐压值达到100V；反向恢复时间5ns。封装为TO-263封装，MBR30100DC的铜材质镀锡引脚与的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。
低压降肖特基二极管
台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC
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台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC全部采用俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置122Mil大规格整流芯片；确保平均输出30A的电流；反向耐压值达到100V；反向恢复时间5ns。封装为TO-263封装，MBR30100DC的铜材质镀锡引脚与的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。
MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI
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MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI，正向电流：30A，反向耐压：200V，正向压降：0.92V，反向电流：0.5uA，反向恢复时间：＜5ns，封装：TO-247/3P。
强元芯从技术和生产原料两方面入收，严把质量关，通过改良持术，提高用户产品体验，更通过保证入库物料产量，无一不是为提高产量努力。自2008年起，ASEMI整流桥产品创造了无不良率的，受到客户一致认同。
ASEMI低压降肖特基二极管PS1545L
PS1545L,PS1560L,PS15100L,低压降肖特基二极管
●【ASEMI】代表本产品的 台湾ASEMI
●【PS1545L】代表本产品的完整型号
●【PSL】代表低压降肖特基二极管
●【15】代表其正向电流为15A
●【45】代表其反向耐压为45V
●【】代表其封装是TO-277
●【左端为正极输入端】
●【右端2脚同为输出端，等电位 】
ASEMI肖特基二极管MBR40200PT
ASEMI肖特基二极管TO-247封装，也称为TO-3P封装， 这种封装体积大，并且后面带散热片，散热性能良好，且两脚之间相隔较远，在潮湿的环境上，不容易发生导电而对产品产生损坏。
ASEMI肖特基二极管MBR40200PT 电性参数:40A; 45V~200v，包装方式为360/盒,30PCS/管，1800/箱 箱体材质采用的牛皮纸 耐压抗冲击
