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2SA1943 PNP 功率晶体管：引脚配置及其应用
什么是 2SA1943 PNP 功率晶体管？
2SA1943 PNP 功率晶体管在放大器设计中起着关键作用。通常，大多数放大器都使用与 B 类放大器相同的推挽电路。该放大器可以用两个晶体管构建，如 PNP 和 NPN，其中 2SA1943 晶体管为
保证交期电子元器件生产
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2SA1943 PNP 功率晶体管：引脚配置及其应用
什么是 2SA1943 PNP 功率晶体管？
2SA1943 PNP 功率晶体管在放大器设计中起着关键作用。通常，大多数放大器都使用与 B 类放大器相同的推挽电路。该放大器可以用两个晶体管构建，如 PNP 和 NPN，其中 2SA1943 晶体管为 PNP 型，2SE5200 晶体管为 NPN 型。因此经常将两个晶体管的组合一起使用来设计大功率放大器。
2SA1943 PNP 功率晶体管
这种功率晶体管采用半导体材料设计，一般至少有三个端子，用于连接外部电路。一旦将电流或电压施加到该晶体管的一对端子上，它就会控制另一对端子中的电流流动，因为输出功率高于输入功率。
当这些晶体管以高集电极电流和大开关频率工作时，它们会很快发热。所以使用散热器来避免这个散热问题。这些 PNP 功率晶体管用于设计功率为 200W 或以上、频率范围为 5Hz 至 100 kHz 和 0.75Vrms 灵敏度的立体声系统。较低的信噪比和总谐波失真将使该晶体管可用于基于音频的应用。
什么是雪崩光电二极管：工作原理及其应用
雪崩光电二极管或 APD 是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年设计的。 APD 是一种非常灵敏的半导体探测器，它利用光电效应将光转化为电。2020 年，将在该二极管中添加石墨烯层，以避免终退化以维护这些二极管。
在光纤通信系统中，使用雪崩光电二极管或 APD 等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中，电荷载流子是通过碰撞产生的。光粒子状光子会产生许多电子以产生电流。本文概述了什么是雪崩光电二极管及其应用。
关于电子元器件分销商广州同创芯
广州同创芯是一家 b2b 电子合同制造商，在拥有电子元件采购点。我们可以以的价格寻找和采购混合电子元件和 IC，并满足的客户需求。无论您想要什么组件，无论数量多少，您都可以从同创芯以合理的价格和可追溯的质量购买。现货库存型号：ATTINY1616-MNR、LAN9500AI-ABZJ-TR、IPP086N10N3G 、IRF530NPBF、PIC16LF15386-I/PT、S9S12G48F0MLFR、LM26480SQ-AA//PB、AD8607ARZ-REEL7、ADUM1200CRZ-RL7A、DM2582EBRWZ-REEL7、DS1390U-33+TR、NCP1399ACDR2G、NCL2801CDADR2G、TL594CDR、DS90UB947TRGCRQ1、NCP3231AMNTXG 、BQ40Z50
雪崩光电二极管：工作原理及其应用
雪崩光电二极管结构PIN
光电二极管和雪崩光电二极管的结构相似。该二极管包括两个重掺杂区和两个轻掺杂区。这里，重掺杂区域是 P+ 和 N+，而轻掺杂区域是 I&P。
在本征区中，与 PIN 光电二极管相比，该二极管的耗尽层宽度相当薄。此处，p+ 区的作用类似于阳极，而 n+ 区的作用类似于阴极。
与其他光电二极管相比，该二极管在高反向偏置条件下工作。因此，这允许通过光撞击或光子形成的电荷载流子雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。
雪崩光电二极管操作
这种二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。
TCRT5000 红外传感器：引脚配置及其应用
像 TCRT5000L 和 TCRT5000 这样的反射式 IR传感器包含一个带引线封装的 IR （光电二极管）和一个 IR （光电晶体管）。这些类型的红外传感器看起来像可见光。在这里，TCRT5000 红外传感器的包装包括两个安装夹，其中 TCRT5000L 红外传感器是长引线版本。这些类型的传感器主要用于不同的Arduino模块中，用于检测或避开障碍物，也用于跟随机器人。
在此 IR 传感器封装中，光电二极管为蓝色，而光电晶体管为黑色。的红外范围为 950 纳米，而包括一个滤光片，用于阻挡日光以减少可检测光的干扰。本文概述了 TCRT5000 IR 传感器及其与应用程序的配合。
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现货库存型号：ATTINY1616-MNR、LAN9500AI-ABZJ-TR、IPP086N10N3G 、IRF530NPBF、PIC16LF15386-I/PT、S9S12G48F0MLFR、LM26480
