电化学抛光原理电化学抛光也称电解抛光。电解抛光是以被抛工件为阳极，不溶性金属为阴极，两极同时浸入到电解槽中，通以直流电而产生有选择性的阳极溶解，从而使工件表面光亮度增大，达到镜面效果。
工艺流程化学(或电化学)除油→热水洗→流动水洗→除锈(10%硫酸)→流动水洗→化学抛光→流动水洗→中和→流动水洗→转入下道表面处理工序工作环境：传统抛光工艺工作环境恶劣，抛光过程中产生沙粒
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电化学抛光原理电化学抛光也称电解抛光。电解抛光是以被抛工件为阳极，不溶性金属为阴极，两极同时浸入到电解槽中，通以直流电而产生有选择性的阳极溶解，从而使工件表面光亮度增大，达到镜面效果。
工艺流程化学(或电化学)除油→热水洗→流动水洗→除锈(10%硫酸)→流动水洗→化学抛光→流动水洗→中和→流动水洗→转入下道表面处理工序工作环境：传统抛光工艺工作环境恶劣，抛光过程中产生沙粒，铁屑，粉尘等，严重污染环境；.加工效率：人工抛光；豪克能工艺属于以车代磨，线速度可达50-80 m/min,进给量可达0.2-0.5mm/r,相当于半精车的效率。铺料消耗：抛光需要消耗抛光轮、磨料、砂带等辅料；适应性：抛光可以加工平面等简单的型面，对于曲面无法加工。如果加工R弧，曲面等复杂型面，可采用豪克能抛光工艺。
使用方法：1． 使用 工艺处理浓度: 建议控制条件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用处理温度 &nbs p; 65-75℃ 70℃处理方法 &nbs p; 搅拌浸泡处理时间 &nbs p; 5-10分钟 5min注：使用前 采用恒温加热35℃和均匀的搅拌，建议采用石英加热器加热。2． 处理流程工件脱脂 水洗 侵入化抛剂 清洗（2-3次） 烘干或后处理工序。建 浴：1、清槽 建议使用钢体结构内衬PP或PE材料，首先使用 碱液清洗后再使用盐酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用纯水清洗一遍；2、配制 原液使用。废水处理：废水处理按常规化学品处理，同时应遵循 有关的化学应用规则，注意事项：在接触化学品时，必须阅读、理解和遵循MSDS上 的急救和处理建议。贮存时注意：贮存处应阴凉、干燥、避光。
是以硫酸为载体,在适宜的温度范围内进行化学抛光,通常情况下、(或),抛光过程即完成化学抛光方法,将欲抛光的不锈钢在此溶液中浸泡,当溶液呈现绿色时、代替相应的酸,先将这些盐类溶于溶有淀粉的水溶液中,然后再将此欲抛光的材料浸入硫酸溶液中,使其表面附着一层溶有上述盐类的淀粉层,用氯化钠化学抛光，一般使用或磷酸等氧化剂溶液，在一定的条件下，使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶人溶液，表面微凸起处氧化较快而较多,而微凹处则被氧化慢而少。同样凸起处的氧化层又比四处更多、更快地扩散，溶解于酸型溶液中,因此使加工表面逐渐被整平，达到改善工件表面粗糙度或使表面平滑化和光泽化的目的。化学抛光可以大面或多件抛光薄壁、低刚度工件，可以抛光内表面和形状复杂的工件，不需要外加电源、设备，操作简单、成本低。其缺点是化学抛光效果比电解抛光效果差，抛光过程中会产生氮氧化合物等环境污染物，而且抛光液用后处理较麻烦
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
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