PLD450型脉冲激光镀膜介绍
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产脉冲激光沉积，欢迎新老客户莅临。
技术指标：
极限真空度：≤6.7×10 Pa
恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：Ф450球型真空
激光脉冲沉积设备价格
PLD450型脉冲激光镀膜介绍
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技术指标：
极限真空度：≤6.7×10 Pa
恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：Ф450球型真空室 ，
基片尺寸：可放置4″可实现公转换靶位描等基片加热可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm可调。
二维扫描机械平台，执行两自由度扫描,控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫,
质量流量控制器1路
烘烤温度：150℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到800℃）
脉冲激光沉积系统配置介绍
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脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。主腔室预留备用的腔口，如用于观察靶材和基底，安装原子吸收或发射光谱仪、原位椭偏仪、离子枪或磁控溅射源、残留气体分析器和离子探针或其他的元件等等5。
PLD 主要选件
离子辅助沉积 (IBAD)系统介绍
离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera 开发了离子辅助的PLD 系统，该系统将PLD 在沉积复杂材料方面的优势与IBAD 能力结合在一起。
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脉冲激光沉积系统的特点有哪些？
超高真空不锈钢腔体
可集成热蒸发源或溅射源
可旋转的耐氧化基片加热台
流量计或针阀准确控制气体流量
标准真空计 干泵与分子泵
可选配不锈钢进样室
可选配基片-靶材距离自动控制系统
是金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格的较佳设备
以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多脉冲激光沉积的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。
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