现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.当功率元件老化时,元件的内阻在导通时必定会加大,因而使温度升高,并使其效能降低。...等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元
风力发电用IGBT测试仪批发
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.当功率元件老化时,元件的内阻在导通时必定会加大,因而使温度升高,并使其效能降低。...等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。

3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
测试项目 测量范围 测试条件与精度
*
3.5 VGE(th)
栅极阈值电压 0.1~10V VGE:0.1~10V±1%±0.01V;
解析度:0.01V
集电极电流Ic:
10~50mA±1%±0.5mA;
50~200mA±1%±1mA;3、集电极电压:50~100V±3%±1V
100~500V±3%±5V
500V~1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求。
200~1000mA±1%±2mA;

航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对
现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新
型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,
以确保出厂产品的稳定性、可靠性。
优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。

7要求
卖方应通过ISO 9001质量论证。
卖方所提供的元件,必须是经过检验合格的器件,否则,买方有权拒付货款。卖方所提供的元件,必须是经过检验合格的器件,否则,买方有权拒付货款。
买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试,以确保出厂测试的参数真实有效。
在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏,应由卖方负责免费更换并予以赔偿。
卖方由于自身原因而延迟交货时,买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。
卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。

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