PLD450型脉冲激光镀膜介绍
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产脉冲激光沉积，欢迎新老客户莅临。
技术指标：
极限真空度：≤6.7×10 Pa
恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：Ф450球型真空
脉冲激光沉积设备厂家
PLD450型脉冲激光镀膜介绍
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产脉冲激光沉积，欢迎新老客户莅临。
技术指标：
极限真空度：≤6.7×10 Pa
恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：Ф450球型真空室 ，
基片尺寸：可放置4″可实现公转换靶位描等基片加热可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm可调。
二维扫描机械平台，执行两自由度扫描,控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫,
质量流量控制器1路
烘烤温度：150℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到800℃）
PLD脉冲激光沉积系统介绍
PLD是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。
期望大家在选购脉冲激光沉积时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。想要了解更多脉冲激光沉积的相关资讯，欢迎拨打图片上的热线电话！！！
脉冲激光沉积系统配置介绍
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脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。超高真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<。
脉冲激光沉积的原理
脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。
脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。
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