MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。
UL为美国安规认证
肖特基二极管原理
MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。
UL为美国安规认证，是世界上安全试验和鉴定机构整流桥
代表安全检检产品运作良率是世界上安全试验和鉴定机构
激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料
我司技术力量雄厚，可协同用户研发、设计新产品，并可提供现场指导。
“诚信”是强元芯屹立于行业之本，未来，我们仍将恪守“诚信，，务实”的服务理念，不断完 善，努力为客户和公司同仁共创双嬴。
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在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
ASEMI实用案例，肖特基二极管的一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
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