测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。产品广泛应用于电力、冶金自动
封装用IGBT测试仪价格
测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
5、感性负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；
6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；
6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；
6.5 电压开关时间： < 50ns；
6.6 输出内阻： < 0.5Ω；
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1）功能
GBT模块动态参数测试。
*2）测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
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