传感器如今发展己经到新的阶段，以硅基材料为主的MEMS传感器，无论从工艺、装备、性能都到“极限”，我国很难进行超越，即使要超越其代价也非常巨大，且国内基础研究薄弱，人才匮乏，跟在别人后面，受制于人是现如今必然的过程。需要重组队，重组而非完全新建，其主要任务是：
加强基础的研究，开展新材料、新原理、新工艺、新结构等新型传感器的研发;对于国际上.的传感器做出提前
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传感器如今发展己经到新的阶段，以硅基材料为主的MEMS传感器，无论从工艺、装备、性能都到“极限”，我国很难进行超越，即使要超越其代价也非常巨大，且国内基础研究薄弱，人才匮乏，跟在别人后面，受制于人是现如今必然的过程。需要重组队，重组而非完全新建，其主要任务是：
加强基础的研究，开展新材料、新原理、新工艺、新结构等新型传感器的研发;对于国际上.的传感器做出提前布局和预研，如石墨烯传感器、传感器、柔性传感器等;对国内长期没有解决的关键技术和工艺、卡脖子的技术进行重点的攻关;提供我国传感器发展的顶层设计、战略规划、实施部署等咨询意见，供决策部门参考。提供大量资金对队进行支持。通过重组队，也可以培养多个领域传感器人才。
磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流
磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（Anisotropic Magnetoresistance, AMR）元件或巨磁电阻（Giant Magnetoresistance, GMR）元件为敏感元件的磁传感器。以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置Set/Reset线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。
底电极层(BottomConductingLayer)和顶电
底电极层（Bottom Conducting Layer）和顶电极层（Top Conducting Layer）直接与相关的反铁磁层和自由层电接触。电极层通常采用非磁性导电材料，能够携带电流输入欧姆计，欧姆计适用于已知的穿过整个隧道结的电流，并对电流（或电压）进行测量。通常情况下，隧道势垒层提供了器件的大多数电阻，约为1000欧姆，而所有导体的阻值约为10欧姆。底电极层位于绝缘基片（Insulating Layer）上方，绝缘基片要比底电极层要宽，且位于其他材料构成的底基片（Body Substrate）的上方。底基片的材料通常是硅、石英、耐热玻璃、GaAs、AlTiC或者是能够于晶圆集成的任何其他材料。硅由于其易于加工为集成电路（尽管磁性传感器不总是需要这种电路）成为好的选择。
磁导航传感器方式的自动导引车
磁导航传感器方式的自动导引车AGV，沿着地面铺设的磁条行驶。磁导航传感器安装在AGV车体前方的底部，距离磁条表面5mm-65mm（建议安装高度30mm），磁条宽度为30mm或者是50mm。磁导航传感器利用其内部间隔10mm平均排布的8个采样点，能够检测出磁条上方的磁场，每一个采样点都有一路信号对应输出，内部垂直于磁条上方的连续采样，每个采样点检测到磁条会输出信号。
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