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晶体谐振器的主要技术指标介绍
标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的
频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差：在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。
负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联,
LVPECL输出电压调振荡器报价
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晶体谐振器的主要技术指标介绍
标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的
频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差：在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。
负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。
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压控振荡器的性能参数
VCO的关键性能参数是调谐电压、频率范围、本底噪声、相位噪声、输出功率、谐波和负载阻抗。其次要性能参数包括电源电压、电源电流、调谐灵敏度、推频、牵引、调谐端口电容和机械事项。调谐灵敏度用于说明调谐电压（MHz/V）变化引起的输出频率变化。
值得注意的是输出功率和谐波功率与输入直流功率和调谐电压之间存在关系，但是不一定存在线性关系。就大多数带模拟电压输入设计的VCO而言，其输出频率与调谐电压之间存在大致线性关系，但这并未考虑输入电压、输入电流、负载和调谐电压对输出功率和频率特性的综合影响。这些影响可以采用推频（VCO频率变化与电源电压的关系）和牵引（VCO频率变化与输出负载的关系）进行说明。
压控振荡器的参数选择
1. 中心频率指频率调节范围的中间值，CMOS输出可达到245.0MHz，LVDS可达到2.1GHz, HCSL可达到700MHz。
2. 输出方式根据需要采用不同的输出。CMOS, LVDS, HCSL, True Sine都有不同的波形特征以及用途。
3. 工作电压可根据具体型号选择1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的应用较为广泛。
4. 压控范围通过调节控制电压改变输出频率。单位为ppm，范围一般为±50~200ppm。
5. 频率稳定度在工作温度范围内，对标称频率允许的偏差，单位一般为百万分之一即ppm。
6. 工作温度工业级标准-40~85℃。特殊应用会对温度有更高的要求。
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