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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-
肖特基二极管应用
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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。
肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要多做考虑。
另外，除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。
MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：
成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；
电子元件部分是今天的ON（安森美半导体），生产功率器件；
Freescale（飞思卡尔半导体）生产IC集成电路；
如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。
3、常用的肖特基二极管
常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。
常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"
SCHOTTKY:取首字母"S",
SMD:Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取首字母"S",
上面两个词组各取首字母、即为 SS,
电流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
电流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A 的必定是模块。
肖特基的电压是 200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V 电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A 规格的有做到200V 电压。除此外，都没有200V 电压规格。
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