金属的化学抛光,常用、磷酸、硫酸、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、硫酸混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。
两酸抛光工艺
金属的化学抛光,常用、磷酸、硫酸、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、硫酸混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。
1、本抛光液在其使用初期会产生泡沫，因此抛光液液面与抛光槽顶部之间的距离不应≥15cm；2、 不锈钢工件在进入抛光槽之前应尽可能将残留在工件表面的水分除去，因工件夹带过多水分有可能造成抛光面出现麻点，局部浸蚀而导致工件报废；3、在电解抛光过程中，作为阳极的不锈钢配件，因其所含的铁、铬元素不断转变为金属离子溶入抛光液内而不在阴极表面沉积。随着化学反应的进行，金属离子浓度会不断增加，当达到一定浓度后，这些金属离子以磷酸盐和硫酸盐形式从抛光液内沉淀析出，沉降于抛光槽底部。因此抛光液必须定期过滤，去除这些固体沉淀物；4、在抛光槽反应过程中，除磷酸、硫酸不断消耗外，水分因蒸发和电解而损失，此外，高粘度抛光液不断被工件夹带损失，抛光液液面不断下降，需经常往抛光槽补加抛光液和水；5、本产品中和后排放符合当今环保要求
多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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