以前我做过感光板，效果都很好，显影之后清洗完成马上腐蚀，腐蚀时间的也就5分钟搞定，如果三氯化铁浓度高，温度高的话，一般2分钟内完成腐蚀。
前几天又用感光板做电路，显影以后，由于三氯化铁溶液没有准备好，所以先在太阳下暴晒（增加感光膜硬度），然后放置了2天，今天腐蚀，然而三氯化铁温度，浓度都相当可以，但是腐蚀效果非常差，前后用时有20分钟，下面是图片。贴片IC的脚印之间我用小刀刻过，防止
保温杯曝光显影厂商
以前我做过感光板，效果都很好，显影之后清洗完成马上腐蚀，腐蚀时间的也就5分钟搞定，如果三氯化铁浓度高，温度高的话，一般2分钟内完成腐蚀。
前几天又用感光板做电路，显影以后，由于三氯化铁溶液没有准备好，所以先在太阳下暴晒（增加感光膜硬度），然后放置了2天，今天腐蚀，然而三氯化铁温度，浓度都相当可以，但是腐蚀效果非常差，前后用时有20分钟，下面是图片。贴片IC的脚印之间我用小刀刻过，防止腐蚀后短路，还有几处腐蚀速度很快也是因为我用刀修理过。剩下的地方腐蚀速度差异非常大。原因我考虑可能是显影以后铜膜钝化了，所以和三氯化铁接触不良导致。有遇到过这样情况的帮我分析一下，解决一下，不胜感激涕零无数！
保温杯曝光显影厂商
一种光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；保持所述半导体晶片静止T时间或间歇性旋转所述半导体晶片，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；其中，在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。本发明能够减少或消除半导体晶片表面的光刻胶残留的缺陷。保温杯曝光显影厂商
曝光了光刻胶中的光敏成分，对于正性光刻胶而言，被曝光的光刻胶区域发生了光化学反应，从而可溶于显影液中；对所述半导体晶片上的光刻胶层进行曝光后烘烤， 通过曝光后烘烤，消除曝光时的驻波效应，改善形成的光刻胶图案的侧壁轮廓；对所述光刻胶层进行显影，光刻胶层被曝光的区域与显影液发生化学反应而溶解，然后用去离子水进行冲洗将溶解的光刻胶去除；保温杯曝光显影厂商
用化学显影液溶解光刻胶经过曝光后可溶解区域的过程称为显影，其主要目的是将光刻板上的图形用光刻胶地到晶圆片上，即溶解掉不需要的光刻胶，从而在光刻胶膜上获得所需要的图形。光刻胶被显影液溶解后再用去离子水清洗晶圆片表面并旋转甩干。为了获得良好的显影效果，有些厂家也采用多次旋覆浸没的办法。相对传统显影方式而言，旋覆浸没显影的每一片晶圆使用的都是新的显影液，提高了晶圆片间的均匀性，并且旋覆浸没显影减小了温度的影响，实现了对显影均匀性的良好控制。保温杯曝光显影厂商
（作者： 来源：）
