如何执行导通参数与漏电流的量测？测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。大功率I g b t模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。9、系统保护功能9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备
检修用IGBT测试仪厂家
如何执行导通参数与漏电流的量测？
测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：
☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。
9、系统保护功能
9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能切断高压电源。
9.2 有急停按钮，当急停按钮被按下时，迅速切断所有高压电源。
9.3 系统带有短路保护功能，在过载时迅速断开高压高电流。
9.4 操作系统带有多级权限。
9.5 系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0.5小时以上，确保系统及数据安全。
10、样品夹具
10.1 有通用测试夹具。
10.2 带有62mm封装测试夹具
10.3 带有EconoPACK3封装测试夹具
10.4 带有34mm封装测试夹具
2.4短路技术条件
1、Vcc： 200～1000V
200～1000V±3%±2V
2、一次短路电流：20000A
500～1000A±3%±2A
1000A～5000A±2%±5A
5000A～20000A±2%±10A
3、tp：5-30us
2.5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V
500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9.9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2.6 NTC测试技术条件
阻值测量范围：0～20KΩ
3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路
通态压降测试电路
高压充电电源：10~1500V连续可调
支撑电容：额定电压2kV
饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V
栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V
集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A
测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路
栅极漏电流测试电路
可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；
小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
（3）设备的功能特点
1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。脉冲时间：40~100ms可设定
（作者： 来源：）
