IGBT又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz) 等特点，
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IGBT又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的新一代电力电子器件。
广泛应用于小体积、率的变频电源、电机调速、UPS 及逆变焊机当中。
IGBT中常见的缺陷是气隙和键合丧失，X射线成像能够成功探测焊料中的空隙。其他常见的缺陷包括陶瓷筏的翘曲或倾斜（两者都会改变热流并使芯片）以及芯片下方焊料中的孔隙率。可以在封装之前或之后通过X射线成像检查IGBT模块。如果在封装前对它们进行了成像检测，则有问题的部件可以再次维修。
近些年来，随着制造成本的下降和发光效率、光衰等技术瓶颈的突破，我国的LED照明产业进入了加速发展阶段，应用市场迅速增长，这导致了LED封装产业的巨大市场，催生出了成千上万家LED封装企业，使我国成为国际上LED封装的产量大国。但随之而来的问题是，行LED封装产量质量参差不齐的现象也成为了LED照明产业不容小觑的成长阻力因素。若LED封装的废品/次品率为0.1%，则每年亿万只LED封装产品中就可能产生数亿只废品/次品，造成近亿元的直接经济损失。
这样，就使用了一定的检测方法，例如利用薄膜灵敏度来检测传输光线的强度。可以确定工件是否存在缺陷，以及缺陷的位置和大小。因此，该技术的应用不仅能有效地检测压力管道中的质量问题，而且不会对管道造成任何破坏，因此具有很大的优势。
此外，通过在线技术测试，可以同时检测到大量压力管道，大大提高了检测效率。对于存在内部缺陷或其他隐藏质量问题的压力管道，可以地测试射线检测技术。
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