抛光就是对工件表面进行加工，使其高度光洁。一般用附有细磨粉的软质轮子高速旋转来擦拭工作。此外还有液体抛光、电解抛光等方法。简单说抛光剂就是使物件表面光亮的试剂。抛光后的产品亮度均匀一致，且本药剂的处理温度为中温，无需加过高的温度。抛光剂（俗称：光亮剂）：淡黄色或黄色透明液体制剂。根据市场需求不断演化出针对不同材质的制剂（大至有不锈钢抛光剂、镁合金抛光剂、铜抛光剂、铝合金抛光剂、
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抛光就是对工件表面进行加工，使其高度光洁。一般用附有细磨粉的软质轮子高速旋转来擦拭工作。此外还有液体抛光、电解抛光等方法。简单说抛光剂就是使物件表面光亮的试剂。抛光后的产品亮度均匀一致，且本药剂的处理温度为中温，无需加过高的温度。抛光剂（俗称：光亮剂）：淡黄色或黄色透明液体制剂。根据市场需求不断演化出针对不同材质的制剂（大至有不锈钢抛光剂、镁合金抛光剂、铜抛光剂、铝合金抛光剂、玻璃抛光粉、钻研抛光粉等）。 [1] 用 途：适合各种不锈钢或金属制品抛光。性 状：液体产品。工艺条件：抛光机配套使用腐 蚀 性：对不锈钢无腐蚀，保持金属表面光亮度，不变色，刺。毒 性：无毒，不污染环境。配 比：1:5~10(以能润湿工件为准)温 度：常温使用
注意事项根据我公司长时间对抛光工艺的摸索与实践，光亮剂在抛光液中几乎消耗相当细微，因此时视具体的情况配比补加光亮剂，新配抛光溶液抛光时间要短；温度偏高时，抛光时间要短些，若抛光2min以上仍不光亮时，可观察抛光时液面泡沫的多少，酌情添加光亮剂，泡沫少时可按适当比例添加部份光亮剂，泡沫多时只要按比例加入磷酸和硫酸即可。生产一段时间后的溶液呈乳白色且粘度大，所以化学抛光后的产品需要反复清洗，否则酸液残留于工件表面将会导致表面产生白霜点。
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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