化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果更好。
抛光加工的机理
抛光切削
两酸抛光 公司
化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果更好。
抛光加工的机理
抛光切削加工、塑性加工和化学作用的综合过程。 微细磨粒进行的是切削加工，摩擦引起高温而产生挤擦工件表面层的是塑性加工，抛光剂的介质在温度和压力作用下与金属表面层发生的是化学作用。
抛光加工的种类
1、机械抛光：机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法
2、化学抛光：化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解，从而得到平滑面。
3、电解抛光：电解抛光基本原理与化学抛光相同，即靠选择性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。
4、超声波抛光 ：将工件放入磨料悬浮液中并一起置于超声波场中，依靠超声波的振荡作用，使磨料在工件表面磨削抛光。
5、流体抛光 ：流体抛光是依靠高速流动的液体及其携带的磨粒冲刷工件表面达到抛光的目的。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
基本原理：
金属试样表面各组成相的电化学电位不同，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的组织
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