光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后NR9-3000PY显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优
RR5光刻胶报价
光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后NR9-3000PY显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势：
光刻工艺重要性二
光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着曝光波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。
光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。
工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。
为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。
光刻胶趋势
半导体光刻胶领域市场规模趋于稳定， 2017年市场约13.5亿美元；约2
