编辑：DD
常见的肖特基有贴片肖特基二极管与直插型肖特基二极管。
首先一起来看一下贴片型肖特基二极管：SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，耐压顶多达到约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整
低压降肖特基二极管
编辑：DD
常见的肖特基有贴片肖特基二极管与直插型肖特基二极管。
首先一起来看一下贴片型肖特基二极管：SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，耐压顶多达到约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用恢复外延二极管(FRED)和超恢复二极管(UFRD)。
快恢复二极管与肖特基二极管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二极管又会有什么样的优势呢？
首先，我们来看一下一般的快恢复二极管。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。
在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。
（作者： 来源：）
