ASEMI低压降肖特基二极管10V45
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ASEMI低压降肖特基二极管10V45，电性参数为10A 45V，是手机充电器，ASEMI半导体采用的第三代芯片制造工艺，所产芯片性能稳定，靠性高，目前ASEMI半导体拥有的半导体生产工艺和台湾健鼎一体化自动测试设备，产品合格率达99%。
ASEMI低压降肖特基二极管作为未来高频整流器
肖特基二极管符号
ASEMI低压降肖特基二极管10V45
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ASEMI低压降肖特基二极管10V45，电性参数为10A 45V，是手机充电器，ASEMI半导体采用的第三代芯片制造工艺，所产芯片性能稳定，靠性高，目前ASEMI半导体拥有的半导体生产工艺和台湾健鼎一体化自动测试设备，产品合格率达99%。
ASEMI低压降肖特基二极管作为未来高频整流器件采纳的典型代表，越来越多的被电源工程师门认可。那么问题了，为什么越来越多的客户愿意选择ASEMI低压降二极管呢？其实台湾ASEMI作为低压降肖特基二极管行业旗帜。
SB30100LCT低压降肖特基二极管，台湾ASEMI
SB30100LCT低压降肖特基二极管，台湾ASEMI，它的封装是TO-220，电性参数：30A，100V，芯片材质：SI，正向电流：30A，芯片个数：2，正向电：0.66V，芯片尺寸94MIL，浪涌电流Ifsm：200A；漏电流小于等于10UA，工作温度问-40~170℃，恢复时间(Trr)：<5nS，引线数量：3。ASEMISB30100LCT在电子市场研发趋势凸显,主要原因是芯片采用俄罗斯进口Mikron芯片，保障了产品的！
ASEMI肖特基二极管MBR40100DC
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ASEMI肖特基二极管MBR40100DC 电性参数:40A; 45V~200V,镭射激光打标，，黑胶材质：环氧塑脂材料 包封稳定性好，引脚为无氧铜、抗弯曲、导电性好，其包装方式5.0K/箱 箱体材质：牛皮纸 耐压抗冲击。1K/盒,50PCS/管，环保防静电PE料管 牛皮环保纸盒 防静电、易保存，可回收利用。
ASEMI肖特基二极管有着极快的反向恢复时间，所以它在高频领域，如开关电源，充电器，电源适配器有着十分广泛的应用，比如手机充电器，它当中用普通的二极管，其充电时间需要12小时以上，而换在肖特基二极管以后，它的充电时间可以压缩至2-3小时，很好的节省了时间，提高了效率。
ASEMI肖特基二极管MBR40200PT
ASEMI肖特基二极管TO-247封装，也称为TO-3P封装， 这种封装体积大，并且后面带散热片，散热性能良好，且两脚之间相隔较远，在潮湿的环境上，不容易发生导电而对产品产生损坏。
ASEMI肖特基二极管MBR40200PT 电性参数:40A; 45V~200v，包装方式为360/盒,30PCS/管，1800/箱 箱体材质采用的牛皮纸 耐压抗冲击环保防静电PE料管 牛皮环保纸盒 防静电、易保存，可回收利用，产品本体采用的是镭射激光打标，，黑胶材质：环氧塑脂材料 包封稳定性好，
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