华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2
封装用IGBT测试仪价格
华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004 电器设备安全技术规范
GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件
GB/T 2423 电工电子产品环境试验
GB/T 3797-2005 电气控制设备
GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用
GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则
GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制
GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
什么是大功率半导体元件？其用途为何？
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。6双电流脉冲的设置：Vcc,Ic,电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。3电流持续时间It：10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。
（作者： 来源：）
