脉冲激光沉积系统配置介绍
想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如
激光脉冲沉积装置报价
脉冲激光沉积系统配置介绍
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脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。脉冲激光沉积系统配置介绍想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
脉冲激光沉积原理
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，今天我们来分享脉冲激光沉积的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助。想要更多的了解，欢迎咨询图片上的热线电话或关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站！
脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。
脉冲激光沉积简介
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——脉冲激光沉积供应商，我们为您带来以下信息。
【设备主要用途】
PLD450A型脉冲激光沉积设备采用PLD脉冲激光沉积技术，用于制备高温超导薄膜、半导体膜、铁电薄膜、硬质薄膜以及微电子和光电子用多元氧化物薄膜及异质结，也可用于制备氮、碳、硅化合物及各种有机—无机复合材料薄膜及金刚石薄膜等。
【设备优点】
设备全程采用一键式操作抽气，关机，程序自动化定时操作。避免了繁琐的角阀，插板阀人工开启。
【设备主要组成】
设备由沉积腔室（单室球形或圆筒形）、样品加热转台、激光入射转靶、激光窗、电源控制系统、激光束扫描系统、计算机控制转靶的旋转、脉冲准分子激光器等组成
脉冲激光沉积系统的配置介绍
沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售脉冲激光沉积，我们为您分析该产品的以下信息。
1.靶: 数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制;
2.基板:采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差<3%，加热时基板可旋转，工作环境的压力可达300mtorr;
3.基板加热电源，高到1200度;
4.超高真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<5e-8 pa;
5.样品搬运室:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<5e-5 pa;
6.排气系统:分子泵和干式机械泵;
7.阀门: 采用超高真空挡板阀;
8.真空检测:真空计;
9.气路两套: 采用气体流量计控制;
10.薄膜生长监控系统: 采用扫描型差分RHEED;
11.监控系统:基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换等;
12.各种电流导入及测温端子;
13.其它各种构造:各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等;
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