变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路
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变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频
器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。
变频器欠压故障处理在变频器维修中我们经常会听到过压故障，但欠压故障也是变频器使用中常碰到的问题。其产生原因是主回路电压下限引起的保护动作或整流桥某一路损坏或电网瞬时停电、输入缺相等。1.比较器检测通过稳压管固定比较器一端的电压，被检测的电压取样后再与之比较，结果通过比较器输出。2.ADC检测(模拟/数字转换器)被检测的电压通过电阻jiang压取样后，落在ADC可检测的范围，可以通过程序设定电压的报警范围。
变频器用GTR的选用⑴Uceo通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。Uceo≥2厂2U在电源电压为380V的变频器中，应有Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用Uceo=1200V的GTR是适宜的。⑵Icm按额定电流In峰值的2倍来选择Icm≥2厂2InGTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。
变频器行业正走入电子商务营销模式随着我国经济社会的发展，工业生产的自动化水平逐步加大，信息化、数字化、节能等意识开始逐步的被融入到了工业生产的过程中，从研发到设计、到生产、再到营销，各个环节无不渗透着现代化的发展气息。许多企业逐步开始摆脱传统营销模式，追求更加方便快捷营销之路的征程。对于我国变频器市场来说，除了少数大企业可以自主生产自己的以外，大多数企业为的代理商。
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