MBR10200CT肖特基二极管，台湾ASEMI
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MBR10200CT 肖特基二极管，台湾ASEMI，其电性参数为10A，200V，封装为：TO-220封装，芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，印字采用的是镭射激光打标，不易退色。
ASEM仍然坚持自己的原则，坚持执行优方针，努力做到“产品精益求精”，满
肖特基二极管原理
MBR10200CT肖特基二极管，台湾ASEMI
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MBR10200CT 肖特基二极管，台湾ASEMI，其电性参数为10A，200V，封装为：TO-220封装，芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，印字采用的是镭射激光打标，不易退色。
ASEM仍然坚持自己的原则，坚持执行优方针，努力做到“产品精益求精”，满足客户并超越客户的需求，与客户携手同行，走向成功之路。
ASEMI肖特基二极管MB10200FAC
ASEMI肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，恢复时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220AC全塑封封装，有2个引脚，正极输入，负极输出。全塑封绝缘性能高。
ASEMI低压降肖特基二极管PS1545L
PS1545L,PS1560L,PS15100L,低压降肖特基二极管
●【ASEMI】代表本产品的 台湾ASEMI
●【PS1545L】代表本产品的完整型号
●【PSL】代表低压降肖特基二极管
●【15】代表其正向电流为15A
●【45】代表其反向耐压为45V
●【】代表其封装是TO-277
●【左端为正极输入端】
●【右端2脚同为输出端，等电位 】
ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LFCT
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ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LFCT 电性参数:20A; 100v，采用的是ITO-220AB全塑封装，这款封装很大优势在于绝缘性与阻燃性表现非常好。采用了环氧树脂封装材料，封装强度高保障内部芯片、焊片、框架，不碎裂不漏电。
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 企业名片
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强元芯电子（广东）有限公司
李绚(False) / |
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