磁控方箱生产线介绍
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标： 极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7Pa
多靶磁控溅射仪价格
磁控方箱生产线介绍
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标： 极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气）
镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜； 样品基片: 负偏压 -200V
样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位镀膜。
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磁控溅射“磁控反应”介绍
磁控反应溅射绝缘体看似容易，而实际操作困难。主要问题是反应不光发生在零件表面，也发生在阳极，真空腔体表面以及靶源表面，从而引起灭火，靶源和工件表面起弧等。德国莱宝发明的孪生靶源技术，很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳极，从而消除阳极表面氧化或氮化。抽气机组及阀门、管道1套，包含1台进口复合分子泵及变频控制电源（680L/s，德国普发Hipace700分子泵）。冷却是一切源（磁控，多弧，离子）所必需，因为能量很大一部分转为热量，若无冷却或冷却不足，这种热量将使靶源温度达一千度以上从而溶化整个靶源。
沈阳鹏程真空技术有限责任公司以诚信为首 ,服务至上为宗旨。公司生产、销售磁控溅射产品,公司拥有强大的销售团队和经营理念。想要了解更多信息，赶快拨打图片上的热线电话！
溅射镀膜的特点
溅射就是从靶表面撞击出原子物质的过程。溅射产生的原子或分子沉积到基体(零件)表面的过程就是溅射镀膜。
溅射镀膜与真空镀膜相比,有如下特点:
1.任何物质都可以溅射, 尤其是高熔点金属、低蒸气压元素和化合物;
2.溅射薄膜与衬底的附着性好;
3.溅射镀膜的密度高,孔少,膜层纯度高;
4.膜层厚度可控性和重复性好。
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