半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。
半导体元件的每一个参数，依其极性的不同
风力发电用IGBT测试仪厂家
半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。
半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经运算即可得知其特性是否在规定范围内。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1）功能
GBT模块动态参数测试。
*2）测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
8）高压大功率开关
电流能力 200A
隔离耐压 10kV
响应时间 150ms
脉冲电流 20kA（不小于10ms）
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 200A
工作湿度 <70%
公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr(反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0。公司装备精良，具有的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的水平。
产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达。
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