PCVD与传统CVD技术的区别
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积，欢迎新老客户莅临。
PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。化学气相沉积技术在材料制备中的使用化学气相沉积技术生产多晶/非晶
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PCVD与传统CVD技术的区别
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积，欢迎新老客户莅临。
PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。化学气相沉积技术在材料制备中的使用化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。
PCVD工艺的具体流程
PCVD工艺的具体流程如下：
(1)沉积。沉积过程借助低压等离子体使流进高纯度石英玻璃沉积管内的气态卤化物和氧气在1000℃以上的高温条件下直接沉积成设计要求的光纤芯中玻璃的组成成分。
(2)熔缩。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对小断旋转的管子加热到大约2200℃，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒(预制棒)。
(3)套棒。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过精心挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。
(4)拉丝。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125 cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。
(5)光纤测试。拉出的光纤要经过各种试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。
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ICP刻蚀机检测技术
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。
光学发射:
光学发射光谱法（OES）是使用较为广泛的终点检测手段。化学气相沉积的原理沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售化学气相沉积，我们为您分析该产品的以下信息。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终点检测。等离子体中的原子或分子被电子激发到激发态后，在返回到另一个能态时，伴随着这一过程所发射出来的光线。
光线的强度变化可从反应腔室侧壁上的观测孔进行观测。不同原子或分子所激发的光波波长各不相同，光线强度的变化反应出等离子体中原子或分子浓度的变化。被检测的波长可能会有两种变化趋式：一种是在刻蚀终点时， 反应物所发出的光线强度增加；如果您想要了解更多化学气相沉积的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。另一种情形是光线强度减弱。
激光干涉：
激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。
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