小型自动磁控溅射仪
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——磁控溅射产品供应商，我们为您带来以下信息。
1. 溅射室极限真空度：≤6.6×10-6 Pa
2. 系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S
3. 系统从大气开始抽气：溅射室30分钟可达到6.6×10-4 Pa；
4. 系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa
5. 溅射真空室1套
磁控溅射仪公司
小型自动磁控溅射仪
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——磁控溅射产品供应商，我们为您带来以下信息。
1. 溅射室极限真空度：≤6.6×10-6 Pa
2. 系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S
3. 系统从大气开始抽气：溅射室30分钟可达到6.6×10-4 Pa；
4. 系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa
5. 溅射真空室1套，立式上开盖结构，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不锈钢结构，弧焊接，表面进行电化学抛光，内含防污内衬，可内烘烤到100～150℃，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封，腔体内有照明系统
6. 磁控溅射系统 3套， 提供3块测试靶材。镀膜不均匀度≤5%
7. 旋转基片台 1套，样品台可放置不小于100mm样品1片，具有连续旋转功能，旋转0—30转/分连续可调。基片加热温度：室温—500°C连续可调，由热电偶闭环反馈控制，加热电源配备控温表，控温方式为PID自动控温及数字显示
8. 观察窗口及法兰接口部件 1套
9. 工作气路1套，包含：100SCCM、20SCCM质量流量控制器、CF16截止阀、管路、接头等共2路； DN16充气阀、管路、接头等2路；
10. 抽气机组及阀门、管道 1套，包含1台进口复合分子泵及变频控制电源（680L/s ，德国普发Hipace700分子泵）；厚度均匀性主要取决于：1、基片材料与靶材的晶格匹配程度2、基片表面温度3、蒸发功率，速率4、真空度5、镀膜时间，厚度大小。1台机械泵（4L/S） ，1台DN40气动截止阀，机械泵与真空室之间的旁抽管路1套，CC150气动闸板阀1台（用于复合分子泵与真空室隔离），节流阀1台，DN40旁抽气阀1台，压差式充气阀1台；管道采用不锈钢三通及波纹管，
11. 安装机台架组件 1套，由方钢型材焊接成，快卸围板表面喷塑处理，机台表面用不锈钢蒙皮装饰，四只脚轮，可固定，可移动。
磁控溅射的工作原理
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磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
磁控溅射——溅射技术介绍
直流溅射法：直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料。控制系统：硬件：PLC和计算机触摸屏控制自动和手动沉积控制主要特点：射频电源：基底预先清洗和等离子体辅助沉积温度控制器：基底加热基底传送装置冷却系统。因为轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法（RF）。
溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子；真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅因为都需要高真空度而拥有统一名称。某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒（对于金属是5-10 eV），从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子；这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联；当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能（对于金属是1-6eV），这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。
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