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重庆陶瓷电容器多层片式陶瓷电容器加工
NPO和C0G是同一种电容吗NPO是美国用规范(MIL)中的观点，实际上应该是NP0(零)，但一般大伙儿习惯性写出NPO(欧)。这也是缩写，用于表明的温度特性。重庆陶瓷电容器表明NPO的电容温度特性非常好，不随正负极温度转变而发生容值飘移。
从前边咱们早已了解，重庆陶瓷电
多层片式陶瓷电容器加工
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重庆陶瓷电容器多层片式陶瓷电容器加工
NPO和C0G是同一种电容吗NPO是美国用规范(MIL)中的观点，实际上应该是NP0(零)，但一般大伙儿习惯性写出NPO(欧)。这也是缩写，用于表明的温度特性。重庆陶瓷电容器表明NPO的电容温度特性非常好，不随正负极温度转变而发生容值飘移。
从前边咱们早已了解，重庆陶瓷电容器C0G是I类瓷器中温度可靠性好是的一种，温度特性类似为0，达到“负-正-零”的含意。因此C0G实际上和NPO是一样的，只不过2个规范的二种表明方式重庆陶瓷电容器（自然，容值更小，精密度略差一点的C0K，C0J等也是NPO电容）。相近的，U2J相匹配于MIL规范中的等级编码为N750。
双层陶瓷电容器。重庆贴片电容器多层片式陶瓷电容器加工
双层陶瓷电容器
留意温度特性和交流电压特性一方面，例举2个双层陶瓷电容器的很大的缺陷。1）较弱的温度特性。实际一点而言，随着着温度的变化，静电感应容量会造成较大的变化，重庆贴片电容器电解电容器器在-55～ 125℃的温度范畴中容量变化水平达到15%，双层陶瓷电容器依据种类的不一样容量变化范畴做到 30～-80％。
因而，在温度会越来越十分高的车里等室内空间中采用的电子设备，重庆贴片电容器及其滑雪场地等冰冷的地区应用的电子设备中假如必须 使用双层陶瓷电容器得话，就务必挑选容量变化较小的B特性品，重庆贴片电容器和设计方案电子线路。
重庆贴片陶瓷电容器的制造原理多层片式陶瓷电容器加工
重庆贴片陶瓷电容器的制造原理
将重庆高介电常数的陶瓷电容 器钛 酸钡一氧化钛揉捏成圆管、圆片或圆盘作为介质，用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极。分为高频瓷介和低频瓷介两种。正电容温度系数小的电容器用于高稳定振荡电路，用作电路电容器和垫片电容器。在低工作频率电路中，低频瓷介电容器局限于旁路或隔离DC，或者对稳定性和损耗要求不高的场合，包括高频。
又分为高频瓷介和低频瓷介。具有小的正电容温度系数陶瓷电容器，用于高稳定振荡电路，用作电路电容器和贴片电容器。本发明所述低频瓷介电容器于工作频率低的电路作为旁路或DC隔离，或者对稳定性和损耗要求低的情况(包括高频)。这类电容器不适用于脉冲电路，因为它们很容易被脉冲电压击穿。陶瓷电容器根据包装不同可分为插件和贴片式！根据介质的不同，可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容。
重庆陶瓷电容耐压不良失效分析
重庆陶瓷电容耐压不良失效分析
（1）通过对NG样品、OK样品进行了外观光学检查、金相切片分析、SEM/EDS分析及模拟试验后，发现NG样品均存在明显的陶瓷-环氧界面脱壳，产生了气隙，此气隙的存在会严重影响电容的耐压水平。 从测试结果，可以明显看到在陶瓷-环氧分离界面的裂缝位置存在明显的碳化痕迹，且碳化严重区域基本集中在边缘封装较薄区域，而OK样品未见明显陶瓷-环氧界面脱壳分离现象。
（2）NG样品与OK样品结构成分一致，未见结构明显异常。失效的样品是将未封样品经焊接组装灌胶，高温固化后组成单元模块进行使用的。取样品外封环氧树脂进行玻璃转化温度测试，发现未封样品的外封环氧树脂玻璃转化温度较低，怀疑因为灌胶的高温超过了陶瓷电容的环氧树脂封体的玻璃转化温度，达到了其粘流态，导致陶瓷基体和环氧界面脱粘产生气隙。随着环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结，此时的形变就很难恢复。然后在外部电场力（耐压加电测试）的作用下，在间隙路径上产生了弱点击穿。
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