正负光刻胶
正负光刻胶
光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.
NR73G 6000P光刻胶公司
正负光刻胶
正负光刻胶
光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶!正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，显影是否、光刻胶图形是否完好。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。赛米莱德提供美国Futurrex的光刻胶的供应与技术参数。
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5,显影液
在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。
显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，显影是否、光刻胶图形是否完好。
影响显影的效果主要因素：
1，曝光时间，2前烘温度和时间，3光刻胶膜厚，4显影液浓度温度，5
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