光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。”日前，江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技日报记者采访时说。其
PR1 1500A1光刻胶价格
光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。”日前，江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技日报记者采访时说。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
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光刻胶编码
HS编码:
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3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释]
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中文描述:
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不含银的感光乳液剂 （CIQ码：301:液体）
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英文描述:
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Non--0--silver light-sensitive emulsion agent
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申报要素:
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0.类型；1.出口享惠情况；2.用途；3.包装；4.成分；5.是否含银；6.；7.型号；8.是否有感光作用（以下要素仅上海海关要求）9.GTIN；10.CAS
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申报要素举例:
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/ 1.感光剂；为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。2.用途:感光材料，用于喷墨制版机；3.包装:瓶装；4.成分:重氮树脂94%以上；5.无；6.无型号
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单位:
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千克
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四、前烘（Soft Bake）
完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。
在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。光刻的工序下面我们来详细介绍一下光刻的工序：一、清洗硅片（WaferClean）清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。
在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。
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表征光刻胶特性和性能、质量的参数有以下三个：
(1)光学性质。光刻胶的光学性质包括光敏度和折射率。
(2)力学特性和化学特性。光刻胶的力学特性和化学特性包括胶的固溶度、黏滞度、黏着度、抗蚀(刻蚀、腐蚀)性、热稳定性、流动性和对环境气氛(如氧气)的敏感度。
(3)其他特性。正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm。光刻胶的其他特性包括胶的纯度、胶内的金属含量、胶的可应用范围、胶的储存有效期和胶的燃点。
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