大功率半导体器件为何有老化的问题？ 任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr(反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0。功率元件由于经常有大电流往复的冲击
检修用IGBT测试仪现货供应
大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr(反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
Vce
集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V； 150～3300V
Ic
集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A
Vge
栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V -30V～30V
Qg
栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
表格12动态参数测试部分组成
序号 组成部分 单位 数量
1 可调充电电源 套 1
2 直流电容器 个 8
3 动态测试负载电感 套 1
4 安全工作区测试负载电感 套 1
5 补充充电回路限流电感L 个 1
6 短路保护放电回路 套 1
7 正常放电回路 套 1
8 高压大功率开关 个 5
9 尖峰抑制电容 个 1
10 主回路正向导通晶闸管 个 2
11 动态测试续流二极管 个 2
12 安全工作区测试续流二极管 个 3
13 被测器件旁路开关 个 1
14 工控机及操作系统 套 1
15 数据采集与处理单元 套 1
16 机柜及其面板 套 1
17 压接夹具及其配套系统 套 1
18 加热装置 套 1
19 其他辅件 套 1
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